مطالعه تحلیلی زمان تونل زنی در ساختارهای نامتناجس مغناطیسی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور
- author مرجان سمندرعلی اشتهاردی
- adviser علی اصغر شکری
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1387
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
مقاومت مغناطیسی تونل زنی در ساختارهای نامتجانس نیم رسانای مغناطیسی رقیق
پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است
تونل زنی الکترون با اسپین قطبیده در نانو ساختارهای مغناطیسی در حضور ناکاملی
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی زمان تونل زنی اسپینی در ساختارهای چند لایه ای gamnas / gaas و فلز غیرمغناطیسی / eus
در سالهای اخیر با پیشرفت در کوچک سازی قطعات نیمرسانای تونلی، جنبه زمانی فرایند تونل زنی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. علاوه بر اهمیت ذاتی کوانتوم مکانیکی مسئله، زمان تونل زنی از نظر فهم دینامیک تونل زنی در قطعات با سرعت بالا نیز از اهمیت بسزایی برخوردار است، زیرا زمان تونل زنی پارامتر کلیدی در تعیین راندمان قطعات الکترونیکی می باشد. با توسعه شاخه جدید اسپینترونیک، زمان تونل زنی حاملان بار با ...
15 صفحه اولبررسی تحلیلی پدیده تونل زنی اسپین با درنظرگرفتن برانگیختگیهای دوقطبی در آهنربای تک ملکولی Mn12
پدیده تونل زنی اسپین در آهن ربای تک ملکولی Mn12 با استفاده از روش محاسبه اینستانتونی مطالعه و از حالت همدوس در پارامتر حقیقی در گروه SU(2) به عنوان تابع اولیه استفاده شده است. برای این آهن ربای تک ملکولی، شکافتگی ترازهای انرژی حاصل شده ( پله های حلقه پسماند مغناطیسی ) مربوط به جملهای در کنش کلاسیکی میباشد که از فاز بری نتیجه میشود و این جمله باعث تداخل بین مسیرهای تونل زنی (اینستانتونها...
full textتونل زنی جوزفسونی از مولکول مغناطیسی ناهمسانگرد
تک مولکول مغناطیسی بستری مناسب برای توسعه ی سیستم های ترابرد اسپینی است. از این رو در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. تحقیقات انجام شده روی انتقال الکترونیکی و اسپینی از مولکول های مغناطیسی، هنوز در مراحل اولیه است. به علاوه، تنها در سال های اخیر امکان اتصال تک مولکول های مغناطیسی به الکترودهای ابر رسانا فراهم گردیده است. در این مجموعه، هدف، مطالعه ی ویژگی های انتقال الکترونی از طر...
15 صفحه اولزمان های تونل زنی و اثرهارتمن
در این پایانامه اثر هارتمن ( زمان تونل زنی ذرات از سدی که انرژی آن بیشتر از انرژی ذرات است با ضخامت سد افزایش می یابد و در سدهای به اندازه ی کافی ضخیم مستقل از ضخامت سد می شود)و پارادوکس ها و نتایج قابل نوجه آن از جمله سرعت های فوق نوری ذکر می شود و با استفاده از کمیت جدید مطرح شده توسط وینفول بیان میشود که تفسیرهای اولیه ی به کار رفته برای توضیح این اثر برای پایه ی بحث تغییرشکل مجدد کاملا اشتب...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023